| 摘要 |
<p>Die Erfindung bezieht sich auf eine monolithisch integrierte Halbleiterschaltungsvorrichtung (1) mit einem Halbleitersubstrat (2), in dem bzw. auf dem mehrere Schaltungselemente ausgebildet sind, die untereinander und gegebenenfalls mit sonstigen, insbesondere am Rand des Halbleitersubstrates (2) angeordneten Kontaktstellen vermittels Leiterbahnmuster (4, 5, 6) elektrisch verbunden sind, die in mehreren Kontaktierungsebenen (Poly-Si, M1, M2, M3), beginnend mit einer ersten (Poly-Si), der Hauptoberfläche (3) des Halbleitersubstrats (2) nächstliegenden, bis zu einer letzten Kontaktierungsebene (M3) vorgesehen sind. Aus dem Leiterbahnmuster (6) der vorletzten Kontaktierungsebene (M2) ist wenigstens bereichsweise eine Sicherungseinrichtung bestehend aus auftrennbaren Verbindungsbrücken (Fuses) (8) oder verbindbaren Leitungsunterbrechungen (Antifuses) ausgebildet. Die Erfindung bezieht sich ferner auf ein Verfahren zur Herstellung einer solchen monolithisch integrierten Halbleiterschaltungsvorrichtung (1).</p> |
