Method for forming patterned tungsten layers,申请号EP19920309607-传众专利搜索

发明名称	Method for forming patterned tungsten layers
摘要
申请公布号	EP0540230(B1)	申请公布日期	1998.12.30
申请号	EP19920309607	申请日期	1992.10.21
申请人	AT&T CORP.	发明人	FULLOWAN, THOMAS ROBERT;PEARTON, STEPHEN JOHN;REN, FAN
分类号	C23F4/00;H01L21/28;H01L21/302;H01L21/3065;H01L21/3213;(IPC1-7):H01L21/321	主分类号	C23F4/00
代理机构		代理人
主权项
地址