发明名称 | 薄膜磁头及其制造方法 | ||
摘要 | 根据本发明的薄膜磁头中,上部磁芯层9由前部第1磁芯层91a和第2磁芯层92构成,前部第1磁芯层91a形成在间隙隔片层6上,至少在载体朝向面附近具有与记录载体上的磁道宽度相同的宽度,第2磁芯层92从载体朝向面经前部第1磁芯层91a的上面扩展至上部绝缘层72的上面,该上部磁芯层9在从载体朝向面扩展到下部绝缘层71的深度端限制面DE的区域,具有比扩展到上部绝缘层72的上面的区域大的膜厚。前部第1磁芯层91a的上面与下部绝缘层71的上面成为同一平面。 | ||
申请公布号 | CN1203412A | 申请公布日期 | 1998.12.30 |
申请号 | CN98108821.X | 申请日期 | 1998.03.18 |
申请人 | 三洋电机株式会社 | 发明人 | 清水良昭;小仓隆;立园史生;奥田裕之;的野直人;楳田胜美 |
分类号 | G11B5/31 | 主分类号 | G11B5/31 |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 叶恺东;王忠忠 |
主权项 | 1.一种薄膜磁头,在基片上至少具有一个感应式磁头元件,该感应式磁头具有下部非磁性绝缘层和上部绝缘层,该下部非磁性绝缘层在下部磁芯层与上部磁芯层之间,形成于从应朝向记录载体的载体朝向面后退预定间隙深度的位置,在该位置具有深度端限制面,该上部绝缘层通过线圈层形成在下部非磁性绝缘层上,同时,感应式磁头具有从载体朝向面扩展到至少与下部非磁性绝缘层的深度端限制面相同的深度的间隙隔片层,其特征在于,上部磁芯层由第1磁芯层和第2磁芯层构成,第1磁芯层形成在间隙隔片层上,至少在载体朝向面附近具有与记录载体上的磁道宽度相同的宽度,第2磁芯层从载体朝向面经第1磁芯层的上面扩展至上部绝缘层的上面,该上部磁芯层在从载体朝向面扩展到下部非磁性绝缘层的深度端限制面的区域,具有比扩展到上部绝缘层的上面的区域大的膜厚,第1磁芯层的上面与下部非磁性绝缘层的上面成为同一平面,或者形成为比下部非磁性绝缘层的上面更高。 | ||
地址 | 日本大阪府 |