发明名称 METHOD FOR PURGING A MULTI-LAYER SACRIFICIAL ETCHED SILICON SUBSTRATE
摘要
申请公布号 EP0807317(A4) 申请公布日期 1998.12.30
申请号 EP19960942020 申请日期 1996.11.18
申请人 LITTON SYSTEMS, INC. 发明人 WARREN, KEITH, O.
分类号 G01P15/08;G01P15/125;H01L21/306;H01L49/00;(IPC1-7):H01L21/00;B44C1/22 主分类号 G01P15/08
代理机构 代理人
主权项
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