发明名称 | 单块集成器件 | ||
摘要 | 根据本发明的单块集成器件包括第一衬底(SUB)和至少在一部分中:a)以固体形态在保证产生热能的情况下适合吸收氢的第一材料组成的叠放在所述的衬底(SUB)上的第一结构(ST1);b)以固体形态在其达到高于预先指定的温度的温度时适合释放氢的第二材料组成的叠放在所述的衬底(SUB)上的第二结构(ST2);c)以固体形态当其受到电流通路作用时适合产生热能的第三材料组成的按至少与所述的第二结构(ST2)热耦合这样配置的第三结构(ST3);其中所述的第一结构(ST1)和所述的第二结构(ST2)至少互相部分地接触。 | ||
申请公布号 | CN1203690A | 申请公布日期 | 1998.12.30 |
申请号 | CN96198712.X | 申请日期 | 1996.11.26 |
申请人 | SGS-汤姆斯微电子有限公司 | 发明人 | 马巴尔道·马斯托马特奥 |
分类号 | G21B1/00 | 主分类号 | G21B1/00 |
代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 杜日新 |
主权项 | 1.一种单块集成器件,包括衬底(SUB)和至少在一部分中:a)由以固体形态在保证热能产生的情况下适合吸收氢的第一材料组成的叠放到所述的衬底(SUB)上的第一结构(ST1),和b)由以固体形态在其达到高于预先指定的温度的温度时适合释放氢的第二材料组成的叠放到所述的衬底(SUB)上的第二结构(ST2),其中所述的第一(ST1)和所述的第二(ST2)结构至少部分地相互接触。 | ||
地址 | 意大利阿格布赖扎 |