| 发明名称 | 薄膜晶体管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种形成于一个基底上的薄膜晶体管，包括：一形成于所述基底上的刻成预定图形的栅电极；一在所述栅电极围绕形成的沟道层，有一栅绝缘层间隔其间；一个形成于所述沟道层上的中间绝缘层；和形成于所述沟道层两侧壁及所述中间绝缘层两侧部分上的、相互隔离的源电极和漏电极；每个沟道层和源／漏电极层是由带有掺杂离子的多晶硅构成的，在薄膜晶体管中，由于每个源电极和漏电极制造得比沟道层厚，因此它们的电阻显著降低。 | ||
| 申请公布号 | CN1041472C | 申请公布日期 | 1998.12.30 |
| 申请号 | CN95109168.9 | 申请日期 | 1995.07.13 |
| 申请人 | 现代电子产业株式会社 | 发明人 | 权性佑 |
| 分类号 | H01L29/786;H01L21/335;H01L21/265 | 主分类号 | H01L29/786 |
| 代理机构 | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人 | 孙履平 |
| 主权项 | 1、一种形成于一个基底上的薄膜晶体管，所述晶体管包括：一个形成于所述基底上的刻成预定图形的栅电极；其特征在于：一个在所述栅电极周围形成的沟道层，它们之间有一栅绝缘层；一个形成于所述沟道层上的中间绝缘层；和在所述沟道层的两侧壁上和所述中间绝缘层的两侧部分形成的，并且相互隔离的源电极和漏电极。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||