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经营范围
发明名称
Verbessertes Verfahren zur Bildung von Siliconkristallen
摘要
申请公布号
DE69414652(D1)
申请公布日期
1998.12.24
申请号
DE19946014652
申请日期
1994.07.20
申请人
MEMC ELECTRONIC MATERIALS, INC., ST. PETERS, MO., US
发明人
AKITERU, TAMIDA, ST. PETERS, MISSOURI 63376, US
分类号
C30B15/00;C30B15/04;C30B29/06;H01L21/208;(IPC1-7):C30B15/04
主分类号
C30B15/00
代理机构
代理人
主权项
地址
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