| 摘要 |
<P>L'invention concerne un procédé de lecture d'une mémoire dynamique et une mémoire mettant en oeuvre le procédé. La mémoire comprend au moins une ligne de bit (B1), une ligne de mot (W1), une cellule de mémorisation (C11) accessible par le biais de la ligne de bit et de la ligne de mot, et une ligne de référence (B2), la cellule de mémorisation permettant de mémoriser un potentiel initial (Vc) représentatif d'une information logique. Le procédé comprend une étape de précharge des lignes de bit et de référence, pour porter le potentiel (Vb1, Vb2) de ces lignes au niveau d'un potentiel de référence (Vref) différent du potentiel initial mémorisé dans la cellule de mémorisation, et une étape de sélection de cette cellule pour produire une modification du potentiel de la ligne de bit et créer une différence initiale entre les potentiels des lignes de bit et de référence. Il comprend enfin une étape de décharge des lignes de bit et de référence et une étape de production d'un signal de sortie (OUT1) dont l'état est représentatif des courants de décharge des lignes.</P>
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