半导体存储器及其制造方法

摘要

在穿透半导体衬底(1)上层叠的介质膜(6、8、10和12)而制作的沟槽中,制作了由存储电极(19)、电容器介质膜(20)和平板电极(21)组成的电容器,而埋置的布线层(9和11)制作在电容器下方。由于电容器不是制作在半导体衬底之中而是在其上方,故有空间使电容器得以制作,且利用全局字线和选择线的布线层(9和11)减轻了制作布线的困难。由于与外围电路区中的布线(34)的下表面相接触的介质膜(32)的上表面延伸到了存储单元区中且与电容器(33)的侧面相接触,故显著地减小了外围电路区与存储单元区之间的台阶高度。

主权项

1.一种半导体存储器，它包含：半导体衬底；层叠在上述半导体衬底主表面上的多个介质膜；其中制作有配备了导电类型与上述半导体衬底相反的高扩散区、栅电极和栅隔离膜的场效应晶体管和电容器的存储单元区；以及外围电路区，其中：上述电容器制作在清除上述多个介质膜所需部位而形成的区域中；且所需的介质膜的上表面从上述外围电路区延伸到上述存储单元区，并与上述电容器的侧面相接触。