| 发明名称 | 只读存储器结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种只读存储器结构,包括:一表面具有一第一绝缘层的基底;一导体层,形成于该第一绝缘层上,且经蚀刻成为多条沿第一方向平行相隔的导体线;一第二绝缘层,填满这些导体线之间;一第三绝缘层,形成于上述各层表面上;及一作格子排列的半导体层,其形成于该第三绝缘层上,并分为沿大致垂直该第一方向的第二方向平行相隔的多条位线,及沿该第一方向平行相隔且连接各位线的通道区,其中这些通道区的位置重叠于这些导体线上。 | ||
| 申请公布号 | CN1202738A | 申请公布日期 | 1998.12.23 |
| 申请号 | CN97112725.5 | 申请日期 | 1997.06.16 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 温荣茂 |
| 分类号 | H01L27/112;H01L21/8246 | 主分类号 | H01L27/112 |
| 代理机构 | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人 | 杨梧 |
| 主权项 | 1.一种只读存储器结构，包括：一表面具有一第一绝缘层的基底；一导体层，形成于该第一绝缘层上，且经蚀刻成为多条沿第一方向平行相隔的导体线；一第二绝缘层，填满这些导体线之间；一第三绝缘层，形成于上述各层表面上；及一作格子排列的半导体层，其形成于该第三绝缘层上，并分为沿大致垂直该第一方向的第二方向平行相隔的多条位线，及沿该第一方向平行相隔且连接各位线的通道区，其中这些通道区的位置重叠于这些导体线上。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区 | ||