| 发明名称 | 半导体器件及其制作方法 | ||
| 摘要 | 在一种半导体器件的制作方法中,首先形成双极晶体管的掩埋集电区,然后为了形成具有低施主浓度的区域(10),将硼离子注入到至少接枝基区的下半部分中,从而减小双极晶体管集电区和基区之间的电容,以便达到电路快速运行的目的。 | ||
| 申请公布号 | CN1202729A | 申请公布日期 | 1998.12.23 |
| 申请号 | CN98115113.2 | 申请日期 | 1998.04.15 |
| 申请人 | 日本电气株式会社 | 发明人 | 吉田宏 |
| 分类号 | H01L21/82;H01L21/328;H01L21/22;H01L27/04 | 主分类号 | H01L21/82 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 陈景峻;傅康 |
| 主权项 | 1、一种具有双极晶体管的半导体器件的制作方法，包括以下步骤：将第二导电电类型的杂质掺入第一导电类型的半导体衬底中，形成双极晶体管的掩埋集电区；将第一导电类型的杂质掺入掩埋集电区的一部分，其浓度低于第二导电类型杂质的浓度，形成低浓度的第二导电类的杂质区。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||