| 发明名称 | SOI/本体混合衬底及其制作方法 | ||
| 摘要 | 一种带有绝缘体上的半导体(SOI)区和本体区的半导体器件,提供了单晶半导体区,其中可制作导电间隔以便将SOI区电连接到地以克服SOI可能出现的浮置体效应。此外,在导电间隔的表面上可制作绝缘间隔以便使SOI区电隔离于本体区。提供了制造此二种产品的新颖方法,其中外延生长的单晶本体区无需选择性生长,因为淀积了抛光牺牲层。 | ||
| 申请公布号 | CN1202736A | 申请公布日期 | 1998.12.23 |
| 申请号 | CN98108451.6 | 申请日期 | 1998.05.15 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 马克·A·亚索;加克·A·曼德曼;威廉·R·通地;马修·R·沃德曼 |
| 分类号 | H01L27/02;H01L21/00 | 主分类号 | H01L27/02 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，它包含：(a)带有大致平整表面的单晶衬底；(b)平整表面上的带有绝缘区上的半导体的第一表面区；(c)平整表面上的本身为单晶区的第二表面区；(d)只制作在绝缘区上的半导体第一周边部位处的将绝缘区上的半导体的半导体连接于衬底的导电间隔，该间隔的电阻率实质上比其所接触的任何半导体区的电阻率低。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||