| 主权项 |
1.一种可电除且可程式唯读记忆体之测试键的制作方法,包括下列步骤:a.提供一半导体基底,并在该半导体基底上定义出一电性活动区,及形成一用以隔离该电性活动区的场氧化层;b.在该电性活动区上形成一闸氧化层,及在该闸氧化层上形成一第复晶矽层;c.定义该第一复晶矽层,使其仅保留位于该电性活动区的部份;d.在该半导体基底上方形成一介电层,以覆盖住该第一复晶矽层;e.定义该介电层,使其仅保留覆盖住该第一复晶矽层周围,而该第一复晶矽层中间未有该介电层覆盖的图案;f.在该半导体基底上方依序形成一第二复晶矽层、一矽化金属层以及一第三复晶矽层,之后该第三复晶矽层将被氧化成一二氧化矽层,作为后续自动对准制程之硬罩幕;g.定义该第二复晶矽层、该矽化金属层及该二氧化矽层,以形成保留位于该第一复晶矽层,且略小于该第一复晶矽层的图案;h.以该二氧化矽层为硬罩幕进行自动对准蚀刻,将该第一复晶矽层凸出的部份去除,并陆续完成一可电除且可程式唯读记忆体之制作;以及i.利用蚀刻制程,以形成一暴露出该矽化金属层的接触窗开口,并填入一金属层,连接至一测试平台。2.如申请专利范围第1项所述之制作方法,其中,该半导体基底为一矽基底。3.如申请专利范围第1项所述之制作方法,其中,该介电层的结构为一二氧化矽/氮化矽/二氧化矽层结构。4.如申请专利范围第1项所述之制作方法,其中,该矽化金属层为一矽化钨层。图式简单说明:第一图a-第一图f绘示习知一种制造可电除且可程式唯读记忆体之测试键的方法;第二图a-第二图f绘示本发明之较佳实施例,一种制造可电除且可程式唯读记忆体之测试键的方法;以及第三图a、第三图b绘示习知与本发明方法所形成测试键结构的上视剖面示意图。 |
