| 主权项 |
1.一种不受制程影响的对准方法,包含:形成复数个对准标志于一底材之第一面,其中该对准标志具有高低起伏之图样;照射光线于该底材之第一面上;接收被该底材第一面所反射之该光线,该反射光线对于上述高低起伏之图样所产生之光学讯号之强弱被作为该底材之对准用;以及进行光显影制程于该晶片之第二面上以移转一电路图样至该底材之第二面上。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之照射光线更进一步包含由侦测上述之对准标志之曝光机的光源所照射。3.如申请专利范围第2项所述之方法,更进一步包含上述之曝光机送放上述之晶片的平台为局部透光性于该对准标志相邻处以使上述之曝光机的对准光源得以穿透。4.如申请专利范围第3项所述之方法,其中上述之平台包含使用透明之平台。5.如申请专利范围第3项所述之方法,其中上述之平台包含使用具有复数个空洞于上述之对准标志相邻处之平台。6.如申请专利范围第5项所述之方法,其中上述之复数个空洞之数目与上述之复数个对准标志之数目相同。7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之底材包含一晶圆。8.一种不受制程影响的对准方法,包含:形成复数个对准标志于一底材之第一面,其中该对准标志具有高低起伏之图样;侦测该对准标志,其中侦测该对准标志系使用曝光机;以及进行光显影制程于该底材之第二面上以移转一电路图样至该底材之第二面上。9.如申请专利范围第8项所述之方法,其中上述之曝光机包含使用光源侦测。10.如申请专利范围第9项所述之方法,其中上述之光源之光线行进路线系从上述之曝光机照射至上述之晶片之第一面再由该晶片之第一面反射至该曝光机。11.如申请专利范围第10项所述之方法,更进一步包含上述之光线对于上述高低起伏之图样所产生之光学讯号强弱对比被作为该晶片之对准用。12.如申请专利范围第8项所述之方法,其中上述之曝光机包含置放上述之晶片的平台为局部透光性于该对准标志相邻处以使上述之曝光机的光源得以穿透。13.如申请专利范围第12项所述之方法,其中上述之平台包含使用透明之平台。14.如申请专利范围第12项所述之方法,其中上述之平台包合使用具有复数个空洞于上述之对准标志相邻处之平台。15.如申请专利范围第8项所述之方法,其中上述之底材包含一晶圆。图式简单说明:第一图所示为具有两个对准标志之晶片正面示意图。第二图所示为传统之对准方法之对准机构之剖面结构图。第三图所示为传统之对准方法在进行制程后之对准机构之剖面结构图。第四图所示为本发明之对准方法之对准机构之剖面结构图。第五图所示为本发明之对准方法在进行制程后之对准机构之剖面结构图。 |
