| 主权项 |
1.一种在半导体元件形成钨闩柱的方法,藉由蚀去该半导体元件上部份的绝缘层,而形成通孔,使底层金属线藉此与上层金属线连接,其步骤包含:A.在该包含通孔的绝缘层上,连续形成一层障蔽金属层和一层钨;B.在该通孔上方的钨层上,形成大小足以涵盖通孔的光阻图案;C.利用该光阻图案作为蚀刻光罩,首先以均向性蚀刻制程蚀刻该钨层;D.接着利用该光阻图案作为蚀刻光罩,再以非均向性蚀刻制程蚀刻已经蚀刻过钨层;以及E.除去光阻光罩后,除去由该均向性和非均向性蚀刻制程在该通孔上方产生的钨突出部,藉此在该通孔内形成了钨闩柱。2.根据申请专利范围第1项在半导体元件形成钨闩柱的方法,其中该均向性蚀刻制程的蚀刻液系由氢氧酸、硝酸、醋酸和纯水混合而成。3.根据申请专利范围第1项在半导体元件形成钨闩柱的方法,其中该均向性蚀刻制程蚀去约整层钨层厚度的50%以上。4.根据申请专利范围第1项在半导体元件形成钨闩柱的方法,其中该非均向性蚀刻制程系使用六氟化硫气体。5.根据申请专利范围第1项在半导体元件形成钨闩柱的方法,其中该钨闩柱的突出部系利用非均向性蚀刻制程去除的。6.根据申请专利范围第5项在半导体元件形成钨闩柱的方法,其中该非均向性蚀刻制程系使用六氟化硫气体。7.一种在半导体元件形成钨闩柱的方法,藉由蚀去该半导体元件上部份的绝缘层,而形成通孔,使底层金属线藉此与上层金属线连接,其步骤包含:A.在该包含通孔的绝缘层上,连续形成一层障蔽金属层和一层钨;B.在该通孔上方的钨层上,形成大小足以涵盖通孔的光阻图案;C.利用该光阻图案作为光阻光罩,首先以均向性蚀刻制程蚀刻该钨层;D.除去光阻光罩后,以非均向性蚀刻制程蚀刻该已经蚀刻过的钨层,直到该障蔽层暴露出来,藉此在该通孔内形成了钨闩柱。8.根据申请专利范围第7项在半导体元件形成钨闩柱的方法,其中该均向性蚀刻制程所用蚀刻液系由氢氟酸、硝酸、醋酸和纯水混合而作。9.根据申请专利范围第7项在半导体元件形成钨闩柱的方法,其中该均向性蚀刻制程蚀去约整层钨层厚度的50%以上。10.根据申请专利范围第7项在半导体元件形成钨闩柱的方法,其中该非均向性蚀刻制程系使用六氟化硫气体。图式简单说明:第一图和第二图的元件横剖面图,说明形成传统的钨闩柱时所发生的问题。第三图A至第三图D的元件横剖面图,说明根据本发明第一个实施例在半导体元件形成钨闩柱的方法。第四图A至第四图B的元件横剖面图,说明本依据发明另一个实施例在半导体元件形成钨闩柱的方法。 |
