发明名称 制造矽型电荷传送物质之方法
摘要 揭示一种制造溶剂-可溶的电荷传送物质的方法,该物质可将电荷-传送性质传达给聚矽氧烷树脂。彼等物质具式A-[R1SiR2v3-nQn]p,其中A为第三胺及自具电离电位4.5-6.2电子伏特之具电荷传送性质之化合物衍生之有机基团;R1为1-18个碳原子之伸烷基;R2为1-15个碳原子之单价烃基或单价经卤素取代烃基;Q为可水解之基团如-OR3,其中R3为1-6个碳原子之烷基;及n或p各为1-3。此矽型电荷传送物质为具复数个芳族基之芳族经取代第三胺及藉烃基引入芳族基之烷氧矽烷基。
申请公布号 TW348230 申请公布日期 1998.12.21
申请号 TW085113885 申请日期 1996.11.13
申请人 道康宁亚细亚股份有限公司 发明人 竹内菊子;栉引信夫
分类号 G03G5/00 主分类号 G03G5/00
代理机构 代理人 陈长文 台北巿敦化北路二○一号七楼
主权项 1.一种制备式A-[R1SiR23-nQn]p矽型电荷传送物质之方法,其中A为其复数个芳族基团之芳族经取代第三胺,A为衍生自具电荷传送性质及电离电位于4.5-6.2电子伏特范围内之化合物之有机基团;R1为其1-18个碳原子之伸烷基;R2为其1-15个碳原子之单价烃基或经卤素取代之单价烃基;Q为可水解之基;且n及p各为1-3;矽型电荷传送物质之特征在于其为其复数个芳族基团之芳族经取代第三胺,及包含可水解之基团Q之矽烷基;该方法包括藉烃基将矽烷基引入具电荷传送性质及电离电位于4.5-6.2电子伏特范围内之化合物之至少一个芳族基团之芳族环中,该方法之特征在于以式HSiR2(3-n)Qn之有机矽化合物,于铂催化剂存在下在温度23-200℃下,将第三胺矽烷化,该第三胺具数个芳族基团,其中至少一个芳族基团接有乙烯基。2.根据申请专利范围第1项之方法,其中可水解之基团Q为烷氧基。3.根据申请专利范围第2项之方法,其中具电荷传送物质之化合物的某些或全部芳族基团具有一个未饱和烃基形式之取代基,该取代基与烷氧矽烷行氢化矽烷化作用,以达成式A-[R1SiR23-nQn]p之矽型电荷传送物质。
地址 日本