| 主权项 |
1.一种半导体装构之结构用以提升散热效果,该结构包含:一具有晶片接合区域及复数个导体通道之基板;一晶片,装置于该晶片接合区域与该导体通道电性耦合;讯号传递装置,设置于该基板之底部用以做为外部与该晶片间传递讯号之装置;一散热装置,设置于该晶片之上;及一覆盖装置,用以覆盖该晶片、该散热装置以及该基板。2.如申请专利范围第1项之结构,其中上述之散热装置包含:至少一金属平板,连接于该晶片之上用以散热;一具有第一压深之第一盘状凹槽,该第一盘状凹槽形成于该平板之表面上用以保护金线防止该平板与该金线、该晶片接触;复数个第一支持器,凸出于该平板之各角并与该覆盖装置连接用以在灌胶过程中顶住模穴之各角防止平面旋转或位移以及增加支撑能力、防止剥离现象;复数个第二支持器,形成于该平板之表面与该基板连接;复数个第三支持器,形成于该平板之表面与该覆盖装置连接,在灌胶过程中顶住模穴防止上下移动;复数个第一开孔,形成该平板之边缘用以与胶体可以充份咬合防止剥离。3.如申请专利范围第2项之结构,其中上述之第一支持器具有凹入部份与灌胶之方向平行。4.如申请专利范围第2项之结构,其中上述之第二支持器为第一半球型凹入,该第一半球型凹入具有第二压深且其深度大于该第一压深之深度。5.如申请专利范围第2项之结构,其中上述之第三支持器为第一半球型凸起形成于该盘状凹槽之周围。6.如申请专利范围第1项之结构,其中上述之散热装置包含:至少一金属平板藉由黏合物质连接于该晶片之上用以散热;一具有第三压深之第一凹槽,该第一凹槽形成于该平板之表面上用以保护金线防止该平板与该金线、该晶片接触;复数个第二开孔,形成该平板之表面用以使该晶片黏合物质胶可以充满于该散热装置及该晶片之间;复数个第三开孔,形成该平板之边缘用以使胶体可以充满于该覆盖装置并与其充分咬合。7.如申请专利范围第6项之结构,其中上述之散热装置更包含:复数个第二半球型凹入,该第二半球型凹入具有第四压深用以做为第四支持器,设置于该平板之表面用以连接该基板,该第四压深之深度大于该第三压深之深度。8.如申请专利范围第6项之结构,其中上述之第一凹槽为球体之一部份。9.如申请专利范围第1项之结构,其中上述之散热装置包含:至少一金属平板藉由胶带连接于该晶片之上用以散热;一具有第五压深之第二盘状凹槽,该第二盘状凹槽形成于该平板之表面上用以保护金线防止该平板与该金线、该晶片接触;复数个第四开孔,形成该平板之表面用以使胶体之填充可以充满于该散热装置及该晶片之间并与平板充分咬合。10.如申请专利范围第9项之结构,其中上述之第四开孔形成于该平板之边缘上。11.如申请专利范围第9项之结构,其中上述之散热装置包含:复数个第三半球型凹入,该第三半球型凹入具有第六压深用以做为第五支持器,设置于该平板之表面用以连接该基板,该第六压深之深度大于该第五压深之深度。12.如申请专利范围第1项之结构,其中上述之晶片与基板是以金线方式做电性连接。13.如申请专利范围第1项之结构,其中上述之晶片与基板是以卷带接合方式做电性连接。14.如申请专利范围第1项之结构,其中上述之晶片是以翻转直接接合方式做电性连接。15.如申请专利范围第1项之结构,其中上述之覆盖装置为绝缘胶体。图式简单说明:第一图为传统构装之截面图。第二图为传统构装之截面图。第三图A为传统构装之截面图。第三图B为传统构装之截面图。第四图A为本发明之第一实施例构装之截面图。第四图B为本发明之第一实施例散热片之俯视图。第四图C为本发明之第一实施例构装之俯视图。第四图D为本发明之第一实施例散热片之截面图。第四图E为本发明之第一实施例散热片之截面图。第五图A为本发明之第二实施例构装之截面图。第五图B为本发明之第二实施例散热片之俯视图。第五图C为本发明之第二置施例构装之俯视图。第五图D为本发明之第二实施例散热片之截面图。第六图A为本发明之第三实施例构装之截面图。第六图B为本发明之第三实施例散热片之俯视图。第六图C为本发明之第三实施例构装之俯视图。第六图D为本发明之第三实施例散热片之截面图。第七图A至第七图I为本发明实施例组装之截面图。第八图A至第八图H为本发明实施例组装之截面图。 |
