发明名称 液晶显示装置
摘要 一种液晶显示装置,具高性能高解析、高亮度及高对比之影像,装置精巧而成本低。液晶装置有一电导层于图像元件电极下方,聚合物分散式液晶之状态改变成散射模式于包围图像元件电极之区乃藉施加电压至电导层。
申请公布号 TW348251 申请公布日期 1998.12.21
申请号 TW085111223 申请日期 1996.09.13
申请人 佳能股份有限公司 发明人 宫诒守
分类号 G02F1/133;G09G3/36 主分类号 G02F1/133
代理机构 代理人 林志刚 台北巿南京东路二段一二五号七楼
主权项 1.一种液晶显示装置,包含一矩阵基底具图像元件 电极对 应扫瞄线与信号线之交叉点形成,一反基底具透明 电极与 图像元件电极相对,及一聚合物分散式液晶装于矩 阵基底 与反基底间,其中一电导层位于图像元件电极下方 而经常 建立于散射模式信号线应加至电导层之电压之聚 合物分散 式液晶状态,于至少图像元件电极间区一部或一安 排有图 像元件电极之影像显示区之周边区一部。2.如申 请专利范围第1项之液晶显示装置,其中电导层作 为截光层。3.如申请专利范围第1项之液晶显示装 置,其中图像元件 电极连接至具开关功能之主动元件。4.如申请专 利范围第3项之液晶显示装置,其中主动元件 为一薄膜电晶体。5.如申请专利范围第4项之液晶 显示装置,其中薄膜电晶 体由单晶半导体层构成。6.如申请专利范围第3项 之液晶显示装置,其中主动元件 具一单晶电晶体。7.如申请专利范围第6项之液晶 显示装置,其中主动元件 具二种n通道单晶电晶体及p通道单晶电晶体。8.如 申请专利范围第7项之液晶显示装置,其中二种n通 道 单晶电晶体及p通道单晶电晶体形成透射闸极。9. 如申请专利范围第6至8项其中一项之液晶显示装 置,其 中单晶电晶体形成于半导体基底上。10.如申请专 利范围第1项之液晶显示装置,其中电导层亦 位于矩阵基底中周边驱动电路上方。11.如申请专 利范围第1项之液晶显示装置,其中反基底上 透明电极分开,而施加彼此各不同之电压至透明电 极各分 开部之机构与透明电极之分开部连接。12.如申请 专利范围第11项之液晶显示装置,其中分开之 透明电极位置相对于图像元件电极。13.如申请专 利范围第12项之液晶显示装置,施于一矩阵 一线上图像元件电极与透明电极间之电场方向相 反于施于 矩阵相邻线间之电场。14.如申请专利范围第12或13 项之液晶显示装置,施于透 明电极与图像元件电极间之电场方向于一特定时 间间隔转 成相反。15.如申请专利范围第13项之液晶显示装 置,其中另一电 极存在于至少透明电极间或其一周边区上,及一液 晶恰位 于另一电极下方设定为经常处于散射模式。16.如 申请专利范围第14项之液晶显示装置,其中另一电 极存在于至少透明电极间或其一周边区上,及一液 晶恰位 于另一电极下方设定为经常处于散射模式。图式 简单说明 :第一图A及第一图B为本发明液晶显示装置之简例 。第二 图为本发明液晶显示装置另一简例。第三图为本 发明液晶 显示装置再一简例。第四图为使用本发明液晶显 示装置之 显示设备简例。第五图A及第五图B简示本发明液 晶显示装 置应用于一目镜式显示器。第六图为本发明例6中 液晶显 示装置之截面图。第七图为本例一液晶板截面图 。
地址 日本