发明名称 HETERO-JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR
摘要
申请公布号 JPH10335637(A) 申请公布日期 1998.12.18
申请号 JP19970142221 申请日期 1997.05.30
申请人 SONY CORP 发明人 KAWAI HIROHARU;IMANAGA TOSHIHARU;KOBAYASHI TOSHIMASA
分类号 H01L29/812;H01L21/338;H01L29/20;H01L29/778;(IPC1-7):H01L29/778 主分类号 H01L29/812
代理机构 代理人
主权项
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