| 发明名称 |
METHOD OF FILLING UP GAPS BETWEEN ADJACENT GATES OF SEMICONDUCTOR STRUCTURE |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH10335323(A) |
申请公布日期 |
1998.12.18 |
| 申请号 |
JP19980120903 |
申请日期 |
1998.04.30 |
| 申请人 |
SIEMENS AG |
发明人 |
ILG MATTHIAS;TOBBEN DIRK;WEIGAND PETER |
| 分类号 |
H01L21/3205;H01L21/3105;H01L21/316;H01L21/318;H01L21/768;H01L23/52;H01L23/522;H01L29/78;(IPC1-7):H01L21/316;H01L21/320 |
主分类号 |
H01L21/3205 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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