| 摘要 |
<p>L'invention concerne un procédé de fabrication d'un condensateur ferroélectrique pouvant s'utiliser comme cellule mémoire dans une mémoire de circuit intégré rémanente intégrée dans un substrat au silicium (22), comprenant de préférence une couche barrière intermétallique. La cellule mémoire consiste en une couche ferroélectrique (50), par exemple de titanate de plomb zirconium niobium (PNZT), disposée entre des électrodes d'oxyde métallique (52 et 46), par exemple de cobalite de lanthane-strontium (LSCO), possédant une orientation cristalline et formant un gabarit de croissance pour la formation cristalline du ferroélectrique. La couche intermétallique (44) empêche la diffusion d'oxygène à partir de l'électrode de LSCO inférieure (46) vers le silicium sous-jacent (40). Au moins l'électrode inférieure (46) est soumise à un recuit thermique rapide à une température de recuit supérieure à sa température de croissance. Ce procédé permet d'améliorer les caractéristiques de polarisation et de fatigue de la cellule ferroélectrique. Une couche intermétallique similaire peut également être placée au-dessus de la cellule ferroélectrique. Une composition préférée de la couche intermétallique consiste en un siliciure réfractaire, notamment un disiliciure réfractaire.</p> |
