自激脉冲半导体激光器

摘要

一种自激脉冲半导体激光器件具有包括一对金属覆层部分的金属覆层和夹在该对金属覆层部分之间的饱和吸收层和缓冲层。用于缓冲层的半导体材料具有在饱和吸收层和用于与缓冲层接触的金属覆层的半导体材料的价带能之间的中间价带能,从而减小在价带能图中形成的尖峰。空穴平稳注入有源层,从而以高成品率以自激脉冲方式产生激光。

主权项

1.一种半导体激光器件，包括：第一导电型半导体衬底和依次形成在所述半导体衬底上的第一导电型金属覆层、有源层和第二导电型金属覆层，至少所述第一导电型金属覆层和所述第二导电型金属覆层中的一个其中包括具有第一和第二表面的饱和吸收层、与所述饱和吸收层的所述第一表面接触设置的第一缓冲层、和夹在所述饱和吸收层和所述第一缓冲层之间的第一和第二金属覆层部分，用于所述饱和吸收层的半导体材料具有比用于所述第一和第二金属覆层部分的半导体材料的第二禁带能低的第一禁带能，用于所述第一缓冲层的半导体材料具有在所述第一价带能和所述第二价带能之间的中间价带能。