| 发明名称 |
Method of field effect transistor fabrication for integrated circuits |
| 摘要 |
|
| 申请公布号 |
EP0465045(B1) |
申请公布日期 |
1998.12.16 |
| 申请号 |
EP19910305526 |
申请日期 |
1991.06.19 |
| 申请人 |
AT&T CORP. |
发明人 |
CHITTIPEDDI, SAILESH;COCHRAN, WILLIAM THOMAS;KELLY, MICHAEL JAMES |
| 分类号 |
H01L21/265;H01L21/266;H01L21/316;H01L21/336;H01L29/08;H01L29/78;(IPC1-7):H01L21/336;H01L21/82;H01L21/28 |
主分类号 |
H01L21/265 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
