| 发明名称 |
Integrated CMOS circuit device and process for manufacturing therefor |
| 摘要 |
Ein Halbleitersubstrat, in dem ein p-Kanal-MOS-Transistor und ein n-Kanal-MOS-Transistor realisiert sind, weist eine erste Siliziumschicht (5), eine verspannte Si1-xGex-Schicht (6) und eine zweite Siliziumschicht (7)auf, die vorzugsweise durch selektive Epitaxie aufgewachsen werden. Im leitenden Zustand bildet sich in dem p-Kanal-MOS-Transistor ein vergrabener Kanal in der verspannten Si1-xGex-Schicht und in dem n-Kanal-MOS-Transistor ein Oberflächenkanal in der zweiten Siliziumschicht (7) aus. <IMAGE>
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| 申请公布号 |
EP0884784(A1) |
申请公布日期 |
1998.12.16 |
| 申请号 |
EP19980104832 |
申请日期 |
1998.03.17 |
| 申请人 |
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT |
发明人 |
FISCHER, HERMANN;HOFMANN, FRANZ, DR. |
| 分类号 |
H01L29/78;H01L21/8238;H01L21/8256;H01L27/06;H01L27/092;(IPC1-7):H01L27/06;H01L21/823;H01L21/825 |
主分类号 |
H01L29/78 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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