METODO PARA FORMAR CONTACTOS CON REGIONES DE FUENTES Y DRENADORES.

摘要

SE DESCRIBE UN METODO DE FABRICACION SEMICONDUCTORA QUE SE PUEDE APLICAR A LA FORMACION DE CONTACTOS A FUENTES Y DESAGUES, ESPECIALMENTE EN APLICACIONES SRAM. SE FORMAN UN DIELECTRICO (POR EJEMPLO 127) Y UN CONDUCTOR DE POLISILICIO DE RECUBRIMIENTO (POR EJEMPLO 131) Y SE MODELAN EXPONIENDO UN SUSTRATO SEMICONDUCTOR (POR EJEMPLO 123). SE DEPOSITA UNA CAPA DE SILICIURO (POR EJEMPLO 132), ESTABLECIENDO CONTACTO ASI CON LA CAPA DE POLISILICIO (POR EJEMPLO 131), Y EL SUSTRATO (POR EJEMPLO 123). LA POSTERIOR MODELACION DE LA CAPA DE SILICIO (POR EJEMPLO 132) USANDO UNA MASCARA DURA DE OXIDO PROPORCIONA CONTACTO ELECTRICO ENTRE LA CAPA DE POLISILICIO (POR EJEMPLO 131) Y EL SUSTRATO, SIN PELIGRO DE HACER SURCOS DENTRO DEL SUSTRATO (POR EJEMPLO 123).