防位线氧化的半导体存储器件制造方法及半导体存储器件

摘要

一种可防止由于图形化存储电极时发生套刻失准而造成的位线氧化的半导体存储器件制造方法和半导体存储器件。在此方法中,在位线上或接触孔中形成氧化阻挡层,如氮化层,以便阻止氧通过扩散进入位线结构中,从而防止位线的氧化。

主权项

1.一种半导体存储器件的制造方法，包括如下步骤：在半导体衬底上形成第一绝缘层；在第一绝缘层上形成多个位线；在位线和第一绝缘层的基本上是整个表面上形成氧化阻挡层；在氧化阻挡层上形成第二绝缘层；通过对第二绝缘层、氧化阻挡层和第一绝缘层图形化形成使半导体衬底的一部分区域暴露的接触孔；通过接触孔形成连接到半导体衬底的该部分区域的存储电极；和在存储电极上顺次形成介质层和板形电极。