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发明名称 A method of fabricating a field-effect transistor and determining the lightly doped drain width
摘要
申请公布号 EP0390312(B1) 申请公布日期 1998.12.16
申请号 EP19900301188 申请日期 1990.02.05
申请人 ADVANCED MICRO DEVICES, INC. 发明人 LIU, YOW-JUANG (BILL);HADJIZADEH-AMINI, ZAHRA
分类号 H01L21/336;H01L21/66;H01L29/78;(IPC1-7):H01L21/66 主分类号 H01L21/336
代理机构 代理人
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