| 发明名称 |
TRANSISTOR WITH HIGH BREAKDOWN VOLTAGE AND METHOD OF MAKING THEREOF |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
KR0165347(B1) |
申请公布日期 |
1998.12.15 |
| 申请号 |
KR19950047456 |
申请日期 |
1995.12.07 |
| 申请人 |
SAMSUNG ELECTRONICS CO.,LTD |
发明人 |
KO, YUN-HAK |
| 分类号 |
H01L29/739;(IPC1-7):H01L29/739 |
主分类号 |
H01L29/739 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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