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经营范围
发明名称
METHOD FOR MANUFACTURING MOS TRANSISTOR
摘要
申请公布号
KR0165348(B1)
申请公布日期
1998.12.15
申请号
KR19950047458
申请日期
1995.12.07
申请人
SAMSUNG ELECTRONICS CO.,LTD
发明人
YU, JOON-HYUNG
分类号
H01L29/739;(IPC1-7):H01L29/739
主分类号
H01L29/739
代理机构
代理人
主权项
地址
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