| 发明名称 |
A BURIED-TYPE LATERAL BIPOLAR TRANSISTOR AND METHOD OF MAKING THE SAME |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
KR0164526(B1) |
申请公布日期 |
1998.12.15 |
| 申请号 |
KR19950045503 |
申请日期 |
1995.11.30 |
| 申请人 |
SAMSUNG ELECTRONICS CO.,LTD |
发明人 |
YU, JOON-HYUNG |
| 分类号 |
H01L29/70;(IPC1-7):H01L29/70 |
主分类号 |
H01L29/70 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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