| 主权项 |
1.一种记忆体,其特征在于:包括虽然消耗电流多但是可以高速地进行存取的高速模式以及虽然以较上述高速模式为低速的速度来进行存取,但是消耗电流少的低电流模式。2.一种记忆体,其特征在于:包括虽然消耗电流多但是可以高速地进行存取的高速模式以及虽然以较上述高速模式为低速的速度来进行存取,但是消耗电流少的低电流模式,而具有可以根据来自记忆体外部的要求来控制系在上述高速模式下动作或是在上述低电流模式下动作的手段。3.一种记忆体,其特征在于:备有虽然消耗电流多但是可以高速地进行存取的高速模式以及虽然以较上述高速模式为低速的速度来进行存取,但是消耗电流少之低电流模式的功能,而根据来自记忆体外部的指示,针对对应于位址而被分割成多个之记忆体区块执行系在上述高速模式下动作或是在上述低电流模式下动作之其中一个记忆体动作。4.如申请专利范围第2项或第3项之记忆体,具有用于输出表示所控制之上述模式之种类的识别信号的手段。5.一种记忆体,其特征在于:备有虽然消耗电流多但是可以高速地进行存取之高速领域与虽然以较上述高速模式为低速的速度来进行存取但是消耗电流少的低电流领域,而具有根据来自记忆体外部的要求而执行将上述高速模式领域设成主动或是非主动的手段。6.一种微电脑,其特征在于:内藏有申请专利范围第1项或第5项之任一项之记忆体。7.如申请专利范围第6项之微电脑,上述微电脑具有高速处理模式与低速处理模式的功能,该微电脑会将选择信号发到上述记忆体,具有当在上述高速处理模式下会将上述记忆体设成上述高速模式,且在上述低速处理模式下会将上述记忆体设成上述低电流模式的手段。8.如申请专利范围第6项之微电脑,上述微电脑具有高速处理模式与低速处理模式的功能,该微电脑当针对上述记忆体对上述高速模式之记忆体领域进行存取时,会自动地将该微电脑本身设成上述高速模式,且当针对上述记忆体对上述低电流模式之记忆体领域进行存取时,则会自动地将该微电脑本身设成上述低电流模式。9.一种半导体记忆体,其特征在于:备有:记忆单元;根据自外部所输入之位址信号而选择来自上述记忆单元之位址的信号加以输出的多工器;将来自上述多工器之信号予以放大而输出的检测放大器;将来自上述检测放大器的信号输出到外部的输出缓冲器及;使来自上述多工器的信号在不通过上述检测放大器之情况下送到上述输出缓冲器的电路,而具有根据来自外部的指示信号,检测放大器会动作,而旁通电路不动作的高速模式以及旁通电路会动作,而检测放大器不动作的低电流模式。图式简单说明:第一图系表本发明之第一实施例之记忆体的说明图。第二图系表本发明之一实施例之记忆体的说明图。第三图系表本发明之第二实施例之记忆体的说明图。第四图系表本发明之第三实施例之记忆体的说明图。第五图系表本发明之其他实施例之半导体记忆体的说明图。第六图系表本发明之第四实施例之记忆体的说明图。第七图系表本发明之第五实施例之记忆体的说明图。第八图系表本发明之一实施例之微电脑的说明图。第九图系表本发明之第六实施例之记忆体的说明图。第十图系表本发明之一实施例之检测放大器的说明图。第十一图系表本发明之其他实施例之检测放大器的说明图。 |
