供减少晶片间隔之沟槽刻线

摘要

一种供将半导体晶圆(21)上之晶片刻线及使其分开之方法，其中晶圆(21)予以作成图案，而且以一种图案，较佳为以栅格图案，在半导体晶圆(21)之选定表面，蚀刻相交凹槽之图案，以界定该表面上之晶片区域。然后以图案之形状形成沟槽(27)，并将选定表面(29)黏着至带子(29)。然后使光自图案通过带子(29)及半导体晶圆(21)，并形成相交锯切割或凹槽(28)之图案与通过晶圆(21)之光对准。锯切割(28)自一与选定表面相反之晶圆(21)之表面伸延，并且与相交沟槽(27)之图案对准。

主权项

1.一种使半导体晶圆上之晶片分开之方法,包含下列步骤:(a)提供一半导体晶圆;(b)在上述晶圆之选定表面蚀刻相交沟槽之图案,以界定上述表面上之晶片区域;(c)形成一凹槽,自与相交沟槽之图案对准之选定表面相反之晶圆表面伸延;以及(d)导使上述凹槽伸延至上述相交沟槽之图案。2.根据申请专利范围第1项之方法,其中上述蚀刻图案之步骤包括掩蔽选定表面以界定栅格图案,然后并蚀刻该栅格图案以形成上述沟槽之步骤。3.根据申请专利范围第1项之方法,其中上述形成凹槽之步骤包含使可检测之能量自上述沟槽通过半导体晶圆,然后形成该凹槽与通过上述沟槽之能量对准之步骤。4.根据申请专利范围第2项之方法,其中上述形成凹槽之步骤包含使可检测之能量自上述沟槽通过半导体晶圆,然后形成该凹槽与通过上述沟槽之能量对准之步骤。5.根据申请专利范围第3项之方法,其中上述能量为一种具有频率透射通过上述半导体晶圆之光,上述形成凹槽之步骤另包含在使光通过该晶圆前,将该晶圆黏着至一对具有上述频率之光透射之带子之步骤。6.根据申请专利范围第4项之方法,其中上述能量为一种具有频率透射通过上述半导体晶圆之光,上述形成凹槽之步骤另包含在使光通过该晶圆前,将该晶圆黏着至一对具有上述频率之光透射之带子之步骤。7.根据申请专利范围第1项之方法,其中步骤(d)包含将与上述选定表面相反之上述晶圆之上述表面固着至一黏性表面,使该晶圆上在上述凹槽与相交沟槽图案间之半导体材料之部位断开,以形成诸个别晶片,然后并将诸个别晶片自该黏性表面移除之步骤。8.根据申请专利范围第2项之方法,其中步骤(d)包含将与上述选定表面相反之上述晶圆之上述表面固着至一黏性表面,使该晶圆上在上述凹槽与相交沟槽图案间之半导体材料之部位断开,以形成诸个别晶片,然后并将诸个别晶片自该黏性表面移除之步骤。9.根据申请专利范围第3项之方法,其中步骤(d)包含将与上述选定表面相反之上述晶圆之上述表面固着至一黏性表面,使该晶圆上在上述凹槽与相交沟槽图案间之半导体材料之部位断开,以形成诸个别晶片,然后并将诸个别晶片自该黏性表面移除之步骤。10.根据申请专利范围第4项之方法其中步骤(d)包含将与上述选定表面相反之上述晶圆之上述表面固着至一黏性表面,使该晶圆上在上述凹槽与相交沟槽图案间之半导体材料之部位断开,以形成诸个别晶片,然后并将诸个别晶片自该黏性表面移除之步骤。11.根据申请专利范围第5项之方法其中步骤(d)包含将与上述选定表面相反之上述晶圆之上述表面固着至一黏性表面,使该晶圆上在上述凹槽与相交沟槽图案间之半导体材料之部位断开,以形成诸个别晶片,然后并将诸个别晶片自该黏性表面移除之步骤。12.根据申请专利范围第6项之方法其中步骤(d)包含将与上述选定表面相反之上述晶圆之上述表面固着至一黏性表面,使该晶圆上在上述凹槽与相交沟槽图案间之半导体材料之部位断开,以形成诸个别晶片,然后并将诸个别晶片自该黏性表面移除之步骤。图式简单说明:第一图为一根据先前技艺所部份制成之半导体晶圆一部份之顶视图;第二图为沿第一图之2-2线所取之剖面图;第三图至第五图为根据本发明制造半导体晶片之部份流程。