半导体装置及其制造方法

摘要

取得一种半导体装置，系以半导体元件之热电阻很小且均匀，各元件间具有充分的热分离，可在简易的制程制造者。在由多数之HBT元件所构成的HBT中，设置通路孔25邻接于各元件，藉气电桥24来接连各元件之射极电极21和通路孔25，将元件产生的热通过上述气电桥、通路孔在设置于半导体基板背面的PHS27上放热。设置通路孔邻接于各元件，因为气电桥很短，所以，元件之热电阻成为很小且均匀，射极电感亦减低，元件间成为充分的热分离。因为气电桥和通路孔金属系同时被形成，所以，制造制程亦成为简易。

主权项

1.一种半导体装置,系具备有:半导体元件,系形成于半导体基板之主表面上;PHS,系为金属层,对于前述主表面为了将接连于前述半导体基板之背面所形成的前述半导体元件所产生的热来放热;通路孔,系在前述半导体基板之前述主表面和前述背面之间设实有贯通孔,而在该贯通孔之内侧设置有接连于前述PHS之金属体而成者;及第1之配线,系由其某部分接连于前述半导体元件之特定电极的金属膜而成者;其特征在于:该第1之配线的其他部分系和前述通路孔之金属体接连者。2.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中:前述第1之配线系为气电桥。3.如申请专利范围第2项之半导体装置,其中:前述半导体元件,系为双极性晶体管,前述特定之电极,系为射极电极。4.如申请专利范围第2项之半导体装置,其中:前述半导体元件,系为双极性晶体管,前述特定之电极,系为基极电极。5.如申请专利范围第4项之半导体装置,其中:前述双极性晶体管之基极电极,系为接地。6.如申请专利范围第2项之半导体装置,其中:为气电桥的第1之配线其他部分,系直接接连于前述通路孔之金属体。7.如申请专利范围第2项之半导体装置,其中:在前述半导体基板之主表面上形成着第2之配线而邻接于前述通路孔,在该第2之配线接连着前述气电桥的第