| 主权项 |
1.一种设置有光吸收抗反射膜的有机基体,包括有机基体、及依序形成于基体上的光吸收膜和低折射率膜,以减少入射光自低折射率膜侧反射,其中有机基体具有经电浆处理之表面,且在经电浆处理的基体表面与光吸收膜之间会形成主要由选自矽、氮化矽、氧化矽及氮氧化矽所组成的族群中之至少一者所制成的层。2.如申请专利范围第1项之设置有光吸收抗反射膜的有机基体,其中光吸收膜的几何膜厚从2至20nm。3.如申请专利范围第1项之设置有光吸收抗反射膜有机基体,其中光吸收膜主要由选自钛、锆及铪所组成族群之至少一金属的氮化物所构成。4.如申请专利范围第1项之设置有光吸收抗反射膜的有机基体,其中光吸收膜系含有金及/或铜之膜。5.如申请专利范围第1项之设置有光吸收抗反射膜的有机基体,其中低折射率膜系主要由氧化矽所构成的膜。6.如申请专利范围第1项之设置有光吸收抗反射膜的有机基体,其中主要由选自矽、氮化矽、氧化矽及氮氧化矽所组成的族群中之至少一者所制成的层之几何膜厚系从0.5至10nm。7.如申请专利范围第1项之设置有光吸收抗反射膜的有机基体,其中主要由选自矽、氮化矽、氧化矽及氮氧化矽所组成的族群中之至少一者所制成的层,系主要要氮化矽所制成的层。8.如申请专利范围第1项之设置有光吸收抗反射膜的有机基体,其中主要由氮化矽及/或氮化铝所制成的抗氧化层系以0.5至20nm的几何膜厚形成于光吸收膜与低折射率膜之间。9.如申请专利范围第1项之设置有光吸收抗反射膜的有机基体,其中有机基体系由聚对酸伸乙酯或聚碳酸酯所制成的有机基体。10.如申请专利范围第1项之设置有光吸收抗反射膜的有机基体,其中有机基体系具有形成于基体上的硬涂着层之有机基体。11.如申请专利范围第10项之设置有光吸收抗反射膜的有机基体,其中有机基体的折射率与硬涂着层的折射率之差的绝对値最多为0.05。12.一种制造设置有光吸收抗反射膜的有机基体之方法,包括使有机基体表面接受电浆处理、及于电浆处理过的表面上依序形成主要由选自矽、氮化矽、氧化矽及氮氧化矽所组成的族群中之至少一者所制成的层、光吸收膜及低折射率膜。13.如申请专利范围第12项之制造设置有光吸收抗反射膜的有机基体之方法,其中电浆处理系以下述方式执行,将有机基体设置于真空室中、然后使室的内部成为非氧化气氛、及施加无线电频率电力至配置于有机基体的后侧上之电极,以执行电浆处理,满足2P.t/(V.e.)≧51015,其中P系施加于有机基体的表面之电力密度(W/cm2)、-V系电极的自我偏压电位(伏特)、t系处理时间(秒)、且e系基本电荷1.61019(C)。图式简单说明:第一图系本发明的实施例之剖面视图。第二图系图形,显示施加至实施例1中所使用的矽靶之电压随着时间改变。第三图系图形,显示实施例1的反射率图谱。第四图系图形,显示实施例8的反射率图谱。第五图系图形,显示实施例15的反射率图谱。 |
