发明名称 微孔晶体材料之制造方法
摘要 本发明的微孔晶体材料之制造方法系,以温和条件,利用简易设备,于高安全性状况下制造多样的微孔晶体材料之方法,而所得之微晶体材料可使用为吸附剂、触媒及分离用之材料等。本发明之制造方法的特征系,以阳离子性化合物或胺类作为结晶化调节剂,并使用矽酸钠()或二氧化矽之原料的方法,以及,使用含二氧化矽及铝之原料的方法,其中包含,混合前者之混合步骤、分离生成之微粒子的固液分离步骤及结晶化所分离之固体成分的结晶化步骤。又,比起目前的必须具备高温、高压、强之严苛条件的水热合成法,本发明除了可改善安全性、经济性等以外,也能自由地调整孔径,及所制成之成型品能维持高比率的多孔质构造。
申请公布号 TW347418 申请公布日期 1998.12.11
申请号 TW084110503 申请日期 1995.10.04
申请人 久保田股份有限公司;工业技术院 发明人 水上富士夫;平石次郎;清住嘉道
分类号 C30B29/06;C30B29/20 主分类号 C30B29/06
代理机构 代理人 林志刚 台北巿南京东路二段一二五号七楼
主权项 1.一种微孔晶体之制造方法,其包含,由铵离子(R4N+: R 系由氢、碳数1-6之烷基或苯基中选出的至少一种) 、鏻 离子(R4P+:R系由氢、碳数1-6之烷基或苯基中选出的 至 少一种)、胺类中所选出的至少一种之结晶化调节 剂与, 含有矽酸钠盐(理想组成式NaHSi2O5)微粒子之性混 合液 的混合步骤,及其后由前述之无机材料混合液中分 离出该 混合液中所析出之微粒子的固液分离步骤,加热由 固液分 离出之固体成分使结晶化的结晶化步骤,等步骤。 2.如申请专利范围第1项之微孔晶体制造方法,其中 的结 晶化调节剂系,四n-丁基铵离子((n-C4H9)4N+)、四n-丙 基铵离子((n-C3H7)4N+)、四乙基铵离子((C2H5)4N+)、四 甲基铵离子((CH3)4N+)、n-丙基三甲基铵离子((n-C3H7)( CH3)3N+)、基三甲基铵离子((C7H7)(CH3)3N+)、四n-丁 基鏻离子((n-C4H9)4P+)、基三苯基鏻离子((C7H7)( C6H5)3P+)、1,4-二甲基-1,4-二偶氮二环(2,2,2)辛烷、 咯(pyrrolidine)、n-丙基胺(n-C3H7NH2)、甲基奎宁环 基(methl quinuclidine)、中选出的至少一种。3.一种微 孔晶体之制造方法,其包含,由铵离子(R4N+:R 系由氢、碳数1-6之烷基或苯基所选出的至少一种) 、鏻 离子(R4P+:R系由氢、碳数1-6之烷基或苯基所选出的 至 少一种)、胺类中所选出的至少一种之结晶化调节 剂与, 含有二氧化矽(SiO2)成分之性无机材料混合液的 混合步 骤,以及其后的由该无机材料混合液中分离出该混 合液中 所析出之微粒子的固液分离步骤,加热由固液分离 出之固 体成分使结晶化的结晶化步骤,等步骤。4.如申请 专利范围第3项之微孔晶体制造方法,其中的结 晶化调节剂系,四n-丁基铵离子((n-C4H9)4N+)、四n-丙 基铵离子((n-C3H7)4N+)、四乙基铵离子((C2H5)4N+)、四 甲基铵离子((CH3)4N+)、n-丙基三甲基铵离子((n-C3H7)( CH3)3N+)、基三甲基铵离子((C7H7)(CH3)3N+)、四n-丁 基鏻离子((n-C4H9)4P+)、基三苯基鏻离子((C7H7)( C6H5)3P+)、1,4-二甲基-1,4-二偶氮二环(2,2,2)辛烷、 咯、n-丙基胺(n-C3H7NH2)、甲基奎宁环基,中选出 的 至少一种。5.如申请专利范围第1-4项中任何一项 之微孔晶体制造方 法,其固液分离步骤设于中和处理混合液的中和步 骤之后 。6.一种微孔晶体之制造方法,其包含,使铝盐共存 于含二 氧化矽(SiO2)成分之混合液中,使混合液呈硷性的混 合步 骤,以及其后的,由前述无机材料混合液中分离出 该混合 液中所析出之微粒子的固液分离步骤,加热结晶化 固液分 离后之固体成分的结晶步骤,等步骤。7.如申请专 利范围第1-4项及第6项中任何一项之微孔晶 体制造方法,其中的结晶化步骤系,将固液分离后 之固体 成分封入密闭容器后,以加热该密闭容器进行结晶 化的步 骤。8.如申请专利范围第1-4项及第6项中任何一项 之微孔晶 体制造方法,其中的结晶化步骤系,将水蒸气供给 固液分 离后之固体成分以进行结晶化的步骤。9.如申请 专利范围第1-4项及第6项中任何一项之微孔晶 体制造方法,其中的结晶化步骤系,于常压下将水 蒸气供 给固液分离后之固体成分以进行结晶化的步骤。 10.如申请专利范围第1-4项及第6项中任何一项之微 孔晶 体制造方法,其中的结晶化步骤设于固液分离之固 体成分 成型后。
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