| 主权项 |
1.一种以电浆来处理工作件之装置,包含一真空室, 工作 件系适合于安装于室内,用以引进入室内以气体转 换成电 浆用以处理工作件之装置,用以转换此气体成为电 浆之装 置包括一电源,用以产生定向于室外边之射频磁场 ,多个 单独被支承电介质窗口在室之外表面,以联接此射 频磁场 至气体,因此而使磁场联接通过此窗口以激发此电 浆。2.如申请专利范围第1项之装置,其中此电源包 括单一激 发装置用,产生射频磁场者,系通过此多个窗口而 联接。3.如申请专利范围第2项之装置,其中此激发 装置包括单 一之线圈阵列,它伸展于多个窗口之上面,射频磁 场系自 此阵列所产生之磁场。4.如申请专利范围第3项之 装置,其中此线圈阵列包括一 平面线圈伸展于多个窗口之上面。5.如申请专利 范围第3项之装置,其中此线圈阵列有一对 接头,经由一对引线连接至若干平行之分段,为电 流自接 头通过每一分段流动之电长度系大约相同。6.如 申请专利范围第3项之装置,其中此线圈有一对接 头 ,经由一对引线连接至若干平行之分段,为电流自 接头通 过每一分段流动之电和实质长度系大约相同。7. 如申请专利范围第1项之装置,其中此电源包括复 数之 激发装置,为每一窗口一个并与之相关联,每一激 发装置 系定置以产生射频磁场,它系通过相关联之窗口而 联接。8.如申请专利范围第7项之装置,其中每一激 发装置包括 一线圈阵列,邻近窗口定置而与激发装置相关联, 此射频 磁场包括自此与复数窗相关联之线圈阵列所产生 之磁通线 。9.如申请专利范围第8项之装置,其中每一线圈阵 列包括 一大体上为平面之线圈,它系邻近一特殊窗口定置 。10.如申请专利范围第8项之装置,其中此线圈阵 列系呈并 联地电连接。11.如申请专利范围第10项之装置,其 中每一线圈阵列有 大约相同之电长度。12.如申请专利范围第11项之 装置,其中每一线圈阵列有 一对接头,经由一对引线连接至若干平行之分段, 为电流 自此接头通过每一分段流动之电长度系大约相同 。13.如申请专利范围第11项之装置,其中每一线圈 阵列有 一对接头,经由一对引线连接至若干平行之分段, 为电流 自此接头通过每一分段流动之电和实质长度系大 约相同。14.如申请专利范围第1项之装置,其中此 表面包括一梁有 复数之开口,各具有一个别窗口支承结构,窗口之 一系放 置于每一开口内并系由相关开口之支承结构所承 载。15.如申请专利范围第1项之装置,其中此表面 包括一梁之 有四个开口呈象限地配置,每一开口包括一个别窗 口支承 结构,窗口之一系放置于每一开口内并系由相关联 开口之 支承结构所承载。16.一种以电浆来处理工作件之 装置,包含一真空室,工 作件系适合于安装于室内,用以引进入室内以气体 转换成 电浆用以处理工作件之装置,用以转换此气体成为 电浆之 装置包括一电介质窗口在室之外部表面上,一线圈 定置以 经由窗口联接一射频磁场至此气体,用以激发此气 体成电 浆状态,此线圈包括第一和第二接头,适合以连接 一射频 源,此源造成射频磁场之产生,以及复数之卷挠分 段并联 地连接于第一和第二接头之间,卷挠分段之至少两 个系在 有大约相同电长度于第一和第二接头之间之路线 中。17.如申请专利范围第16项之装置,其中多个电 介质窗口 系包括其内,线圈伸展于该复数电介质窗口上面。 18.如申请专利范围第16项之装置,其中多个电介质 窗口 系包括其内,该线圈之个别一个系邻近每一窗口。 19.如申请专利范围第18项之装置,其中该个别线圈 系呈 并联地相互连接至该射频源。20.如申请专利范围 第16项之装置,其中此线路大约有相 同之实质长度于第一和第二接头之间。21.如申请 专利范围第20项之装置,其中有若干该卷挠分 段以及相等数目之该线路有相同之电长度于第一 和第二接 头之间。22.如申请专利范围第21项之装置,其中该 若干线路和卷 挠分段系经配置,俾使自射频源之电流大致上在一 特定时 间在相同之方向中流动通过所有之分段。23.如申 请专利范围第22项之装置,其中此线圈包括第一 和第二伸长之空间平行引线之有相同横截面几何 形者,此 第一和第二接头系分别地在第一和第二引线之相 对两端, 每一该若干分段包括一伸长元件伸展于此等引线 之间,并 有相对两端连接至引线,每一元件有相同长度和横 截面几 何形。24.如申请专利范围第23项之装置,其中每一 元件有一长 度,该长度不大于由射频源应用于线圈之电波之波 长之大 约1/16。25.如申请专利范围第21项之装置,其中每一 分段至少包 括一元件,此线路,分段和元件系如此配置,即元件 大致 上相互平行地伸展,以及自射频源之电流大致上在 相反于 相互为下个元件内之方向中流动。26.如申请专利 范围第25项之装置,其中此线圈包括第一 和第二伸长之空间地平行之引线之有相同横截面 几何形, 此第一和第二接头系分别地在第一和第二引线之 相对终端 处,每一此若干分段包括一对串联相连接之伸长元 件,此 引线,元件和分段系如此配置,即引线系相互邻接 着大致 上至元件之一边。27.如申请专利范围第20项之装 置,其中此两路线有大约 相同之实质和电长度者包括:(a),第一和第二大致 上平 行伸长之引线,分别地连接至第一和第二接头,以 及(b) ,第一和第二线圈元件伸展于第一和第二引线之间 ,此接 头系连接至引线于两个线圈分段之间之位置处。 28.如申请专利范围第16项之装置,其中至少某些路 线有 大约相同电长度,有大体上不同之实质长度越过此 接头, 此路线大体上有不同实质长度,以及大约相同电长 度之有 具不同値之电感者促使电长度成为大约相同。29. 如申请专利范围第28项之装置,其中每一路线有相 同 种类之主无功阻抗値在由射频源应用于线圈之电 流之频率 处。30.如申请专利范围第29项之装置,其中每一路 线包括一 元件,连接于一对连接至第一和第二接头之引线之 间,每 一元件有大约相同之实质和电长度。31.如申请专 利范围第30项之装置,其中每一元件有一长 度,此长度不大于由射频源应用于线圈之电波之波 长之大 约1/16。32.如申请专利范围第29项之装置,其中该引 线之至少一 个有不同之电感値在与邻近一对元件之连接装置 之间。33.如申请专利范围第32项之装置,其中此不 同之电感値 系藉提供具有不同横截面区之引线于与邻近一对 该元件之 连接装置之间而获得。34.如申请专利范围第29项 之装置,其中至少某些路线包 括一串联之电容器,此电容器有一无功阻抗値在由 射频源 应用于线圈之电流之频率处,此串联电容器促使此 路线有 大约相同之长度。35.如申请专利范围第34项之装 置,其中此串联之电容器 有値,此値促使每一路线有一主电容性阻抗値在由 射频源 应用于线圈之电流之频率处。36.如申请专利范围 第34项之装置,其中此串联之电容器 有値,此値促使每一路线有一主电感性阻抗値在由 射频源 应用于线圈之电流之频率处。图式简单说明:第一 图为依 据本发明之一实施例之电浆处理机之侧面剖视图; 第一图 a为一侧面剖视图,对说明于第一图内电浆处理机 之一部 分之第一图之视图成直角;第二图为引用多个并联 线性导 体分段或元件之一线圈之俯视图,其中所有之电流 流动于 同一方向以通过分段;第二图a为第二图之变更版 本之部 分之俯视图;第三图为一线圈之俯视图,包括并联 分段之 有电流在同一方向流动通过者,其中此等分段系在 有相等 实质之及电之长度于负责对射频激发源而连接之 斜向相对 之第一和第二接头之间之路线中;第四图为另一线 圈构形 之俯视图,其中所有电流,在连接至交流电源发源 之第一 和第二相邻接头之间呈相同方向流动于并联支线 中;第五 图为线圈而配置之一俯视图,包括多个并联线圈分 段,各 分段包括邻近元件之有电流呈相反方向流动通过 者,其中 此分段系在一路线中此路线有相等之实质和电长 度于邻近 引线之相对两端处之第一和第二接头之间;第六图 为一线 圈之俯视图,包括并联元件配置于一编织模式中, 因此, 电流在两邻近元件中呈相反方向流动;第七图为说 明于第 六图内之编织模式结构之变更式;第八图为有多个 线圈部 分之线圈组态之俯视图,在不同之个别地被支承窗 口上占 住一共同互斥区,以及呈并联地连接至激发线;第 九图为 线圈之俯视图,包括多个并联直线分段之有不同长 度者; 第十图为一线圈之俯视图,包括多个直线元件呈串 联地连 接于负责对一射频源连接之外部接头之间;第十一 图为磁 通量线之侧视图,此通量线系激发第2至4以及第九 图之线 圈组态之结果;第十二图为磁通量线之侧面剖视图 ,此通 量线系由第五图至第八图以及第十图之线圈组态 之激发所 产生;以及第十三图a至第十三图c系另一种窗口构 形之俯 视图。 |
