| 主权项 |
1.一种在积体电路内多层布有线图的金属叠层间 选择性沉 积一氧化矽绝缘间隔层之方法,包括:于一半导体 基体上 形成一氧化矽绝缘基体层,该氧化矽绝缘基体层系 以电浆 辅助化学气相沉积法(PECVD)形成者;于该氧化矽绝 缘基 体层上形成一多层布有线图之金属叠层,该多层布 有线图 的金属叠层包含一用氮化钛形成之上阻挡金属层 及一位于 其下由含铝合金制成之导体金属层;于该经多层布 有线图 之金属叠层暴光之氧化矽绝缘基体层部份上及贴 于其下之 经该多层布有线图之金属叠层爆光之下导电金属 层边缘上 面,用臭氧辅助化学气相沉积法选择性地形成一氧 化矽绝 缘间隔层,该氧化矽绝缘间隔层形成时之沉积时间 不超过 在氮化钛形成之上阻挡金属层上形成该间隔层氧 化矽绝缘 所需之培养时间。2.如申请专利范围第1项之方法, 其中之氧化矽绝缘基体 层系以电浆辅助化学气相沉积法,用由矽烷及正矽 酸四乙 基酯组成之一组材料中选出之矽源材料形成者。3 .如申请专利范围第1项之方法,其中之该上阻挡金 属层 厚度约为1000至大约1400埃。4.如申请专利范围第1 项之方法,其中之该上阻挡金属层 系以物理气相沉积溅镀法形成者。5.如申请专利 范围第1项之方法,其中该贴于其下之导体 金属层之厚度约为4000至大约6000埃。6.如申请专利 范围第1项之方法,其中之该位于其下之导 体金属层约含0.5%至大约1.0%之铜。7.如申请专利范 围第1项之方法,其中该臭氧辅助化学气 相沉积法系以正矽酸四乙基酯为矽源材料。8.如 申请专利范围第7项之方法,其中该臭氧辅助化学 气 相沉积法系使用正矽酸四乙基酯,臭氧与正矽酸四 乙基酯 之莫耳比约为12:1至大约20:1。9.如申请专利范围第 1项之方法,其中之该沉积时间等于 该培养时间,且该培养时间约为50至大约55秒。10. 如申请专利范围第9项之方法,其中在该氧化矽绝 缘基 体层表面上之该氧化矽绝缘间隔层之厚度约为1300 至大约 1500埃,且在与该位于其下之导体金属边缘邻接之 表面上 之氧化矽绝缘间隔层之厚度约为1200至大约1300埃 。图式 简单说明:第一图为显示本发明之氧化矽绝缘间隔 层重要 部位之一断面示意图。第二图a至第二图e显示一 积体电路 之各制造步骤,本发明之氧化矽绝缘间隔层即于此 积体电 路内形成。第三图显示绝缘间隔层厚度与本发明 之基体层 上形成本发明之氧化矽绝缘间隔层所需沈积时间 间之关系 。 |
