| 主权项 |
1.一种用于制造半导体积体电路之方法,包括:藉由光凹版印刷方法,在半导体晶圆之表面上形成电路,包含使用W金属层当作该电路之部份;使该表面以W-CMP平整化,其中该W-CMP包含以包含Fe氧化剂之磨耗浆料使该晶圆化机磨擦;在达到适当之表面平整化后,清除留下结合于该金属化之半导体表面上之Fe污染物,而不破坏该W层,该清除步骤包含使溶液施用于该晶圆上,于化学结合该Fe,且在溶液中产生Fe-离子错合物;其中该溶液之一成份系选自由柠檬酸盐及EDTA组成之组群之配位基。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该溶液之另一成份包含HF。3.如申请专利范围第2项之方法,其中该PH安定溶液之该PH値系调整在5.8至6.3之范围之中。4.一种用于制造半导体积体电路之方法,包括:藉由光凹版印刷方法,在该半导体晶圆之表面上形成电路,包含使用W及Ti金属层当作该电路之部份;以W-CMP使该表面平整化,其中该W-CMP包含以包含Fe氧化剂之磨耗浆料,将该晶圆化机磨擦;在适当的表面平整化达成后,清除留下结合于金属化半导体表面上之Fe污染物,而不破坏该W及Ti层,该清除步骤包含将PH安定之蚀刻溶液施用于该晶圆上,于溶液中产生金属离子错合物;及蚀刻该汰层之前,中断该清除步骤,其中该PH安定蚀刻溶液之一成份系选自由柠檬酸盐:及EDTA所组成组群之PH缓冲配位基。5.如申请专利范围第4项之方法,其中该PH安定溶液之另一成份包含HF。6.如申请专利范围第5项之方法,其中该PH安定溶液之该PH値系调整在5.8至6.3之范围之中。7.如申请专利范围第6项之方法,其中该PH安定溶液之成份于混合在一起前先经稀释且老化。8.一种半导体晶圆清除物质,包括:包含氢氟酸及选自由柠檬酸及EDTA组成组群之配位基之PH缓冲溶液。9.一种半导体晶圆清除物质,包括:包含NH4F且包含选自由柠檬酸及EDTA组成组群之配位基之PH缓冲溶液。10.如申请专利范围第9项之物质,其中该配位基为柠檬酸三铵及氢柠檬酸二铵之柠檬酸盐混合物。11.如申请专利范围第8项之物质,其中该配位基为柠檬酸三铵及柠檬酸二铵及柠檬酸盐混合物。 |
