| 主权项 |
1.一种低湿度及高真空度之氮气柜储存方法,系为应用于半导体工业中、藉由形成一低湿度及高真空度之氮气柜储存环境、确保所储存物品品质之方法者,其中该氮气柜上系装置有一导气管及一压力计,而其步骤包括有:a.将所欲储存之物品安置于氮气柜中,并密闭该氮气柜;b.以一外接气流对该氮气柜内空气作换气循环;c.待换气循环完成后,再将一氮气流导入该氮气柜中;d.于该氮气流导入完成后,再将该氮气柜内之气体抽出,以于该氮气柜中形成一高真空及低湿度状态;及e.以该氮气柜之高真空及低湿度状态密闭储存所置入之物品。2.如申请专利范围第1项所述之低湿度及高真空度之氮气柜储存方法,其中步骤b所述之外接气流系为一湿度在30%以下之空气流者。3.如申请专利范围第1项所述之低湿度及高真空度之氮气柜储存方法,其中步骤b所述之外接气流之流量系介于1.0kg/cm2至1.2kg/cm2间者。4.如申请专利范围第1项所述之低湿度及高真空度之氮气柜储存方法,其中步骤b所述之换气循环系以一外接压缩机配合该氮气柜上之导气管行之。5.如申请专利范围第1项所述之低湿度及高真空度之氮气柜储存方法,其中步骤c所述之「换气循环完成」系以该氮气柜内之湿度低于30%计。6.如申请专利范围第1项所述之低湿度及高真空度之氮气柜储存方法,其中步骤c所述之「将一氮气流导入该氮气柜中」之方法系藉该氮气柜上之导气管行之。7.如申请专利范围第1项所述之低湿度及高真空度之氮气柜储存方法,其中步骤c所述之该氮气流之流量系介于2.5kgf/cm2至3.5kgf/cm2间者。8.如申请专利范围第1项所述之低湿度及高真空度之氮气柜储存方法,其中步骤d所述之「该氮气流导入完成」系以该氮气柜内之气压介于1.0kg/cm2至1.5kg/cm2间计。9.如申请专利范围第1项所述之低湿度及高真空度之氮气柜储存方法,其中步骤d所述之「将该氮气柜内之气体抽出」之方法系藉由一真空帮浦及该氮气柜上之导气管行之。10.如申请专利范围第1项所述之低湿度及高真空度之氮气柜储存方法,其中步骤d所述之该高真空及低湿度状态系为该氮气柜内之压力低于10-3大气压力之状态者。11.如申请专利范围第1项所述之低湿度及高真空度之氮气柜储存方法,其中步骤d所述之该高真空及低湿度状态系为该氮气柜内之湿度低于0.03%之状态者。12.如申请专利范围第1项所述之低湿度及高真空度之氮气柜储存方法,其中步骤d所述之该高真空及低湿度状态系为该氮气柜内之压力低于10-3大气压力及湿度低于0.03%之状态者。图式简单说明:第一图系为一储存用氮气柜之示意图。第二图系为习知氮气柜储存方法之操作流程图。第三图系为本发明低湿度及高真空度之氮气柜储存方法最佳实施例之操作流程图。 |
