| 主权项 |
1.一种液晶显示器,包括有以液晶层置于其间而相 互面对 之第一基质与第二基质,其中:该第一基质之上载 有:安 设于矩阵列之复数个像素电极;形成于该等像素电 极诸行 间之汲线;形成于该等像素电极诸列间之闸线;薄 膜电晶 体,每一薄膜电晶体具有连接至流像素电极之源电 极,连 接至每一汲线之汲电极,以及连接至该闸线之闸电 极;于 该等电极间遮蔽光线之第一遮光层;经绝缘层与该 等像素 电极重叠并系由施加至整个该第一基质上之透明 导电层所 制成之储存电容电极;以及保持电荷之储存电容, 该等储 存电容形成于该等像素电极与储存电容电极相互 重叠处之 区域;以及该第二基质包含有延伸于该第一及第二 基质相 互面对处之整个面积区上之普通电极。2.如申请 专利范围第1项之液晶显示器,其中该第二基质 又包含位于对应该第一遮光层之位置的第二遮光 层,并且 该第二遮光层具有大于该第一遮光层孔径之孔径 。3.如申请专利范围第1项之液晶显示器,其中每一 储存电 容电极系延伸于整个该第一基质上除其周缘外。4 .如申请专利范围第1项之液晶显示器,其中该第一 遮光 层若非形成于该等储存电容电极之上即为形成于 其之下。5.如申请专利范围第4项之液晶显示器,其 中该等储存电 容电极系由铟与锡之氧化合金所制成,该第一遮光 层系由 铬质制成,以及由氧化铬制成之抗反射层系形成于 该第一 遮光层与该等储存电容电极间之边界上。6.如申 请专利范围第5项之液晶显示器,其中该抗反射层 系于该等储存电容电极与该第一遮光层形成之后 而藉热处 理加以形成。7.如申请专利范围第1项之液晶显示 器,其中施于该储存 电容电极之储存电容信号之电压系决定以使当薄 膜电晶体 未选中时,该等薄膜电晶体之汲电极与源电极之电 位以及 该储存电容电极之电位之差値系小于该等薄膜电 晶体之操 作电压临限値。8.如申请专利范围第7项之液晶显 示器,其中该储存电容 电极信号之电压系由施加于该普通电极之普通电 极信号的 电压而位准偏移。9.如申请专利范围第1项之液晶 显示器,其中绝缘层与半 导体层系形成于该等闸线下,每一源电极系由每一 像素电 极之部份所构成,每一汲电极系由每一汲线之部份 所构成 ,为该半导体层一部份之通道层系于位于该源电极 与汲电 极相互邻接之区域,为该绝缘层一部份之闸绝缘层 系延伸 整个该通道层,每一闸电极系由每一闸线之部份所 构成并 且设于该闸绝缘层之上,以及该等闸线、该绝缘层 以及该 半导体层系予以相同地成型。10.如申请专利范围 第9项之液晶显示器,其中该储存电容 电极延伸至该第一基质端部附近处,并且经该绝缘 层而与 输入端电极重叠,并且施于该输入端电极之所欲信 号系能 控制储存电容之电压。图式简单说明:第一图为展 示使用 于传统液晶显示器之TFT基质构造之图解意示图;第 二图 为沿第一图1X-1X'线之液晶显示器剖视图;第三图为 展示 用于根据本发明第一实施例之液晶显示器的TFT基 质构造 之图解意示图;第四图为沿第三图3X-3X'线之液晶显 示器 之剖视图;第五图为显示第三图TFT基质一端构造之 图解 意示图;第六图为沿第五图5X-5X'线之液晶显示器剖 视图 ;第七图为展示施加以驱动该传统液晶显示器电压 之波形 图;第八图展示该传统液晶显示器之等效电路;第 九图展 示施加以驱动根据本发明之液晶显示器之电压的 波形图; 第十图为用以藉展示于第九图之电压而驱动该液 晶显示器 之等效电路;第十一图为显示当该液晶显示器根据 本发明 方法而加以驱动时界于闸电压低位准与光穿透率 间之关系 图;第十二图为显示当该位传统液晶显示器驱动时 ,界于 闸电压低位准与光穿透率间之关系图;第十三图为 根据第 二实施例液晶显示器中之TFT基质之剖视图,第十四 图为 显示CrOx层与Cr层之反射率图;第十五图为第一实施 例 TFT基质之修正版之剖视图;以及第十六图为根据第 三实 施例液晶显示器TFT基质之剖视图。 |
