| 主权项 |
1.一种相移光罩,具有一相移区域及一非相移区域, 该相 移光罩包含:一半色调区域,邻近该非相移区域,在 一预 定范围内,该半色调区域会改变入射光线的相位。 2.如申请专利范围第1项所述之相移光罩,其中该半 色调 区域是由钼矽氧化氮(MosiON)所形成。3.如申请专利 范围第1项所述之相移光罩,其中一预定深 度的刻痕形成于该相移区域上。4.一种制作相移 光罩的方法,其包含下列之步骤:(a)在 一PSM基底上形成一相移层;(b)该相移层上形成一镀 铬层 模型,以暴露该相移层的部份表面;(c)在该相移层 之暴 露表面间有一相移区域,形成于一第一暴露部份内 ;(e) 在该相移层之暴露表面间有一半色调区域及一非 相移区域 ,形成于一第二暴露部份内。5.如申请专利范围第4 项所述之制作相移光罩的方法,其 中在步骤(c)中该相移区域是由下列步骤所形成:去 除在 该第一暴露部份中之相移层;形成一预定深度之刻 痕于该 PSM基底上,并和该第一暴露部份相对应。6.如申请 专利范围第4项所述之制作相移光罩的方法,其 中在步骤(d)中该半色调区域及该非相移区域,是由 下列 步骤所形成:形成一用来定义该相移层之感光胶模 型于该 第二暴露部份上,其区域比用来定义该镀铬层模型 的小; 去除由感光胶模型所定义,并位于该第二暴露部份 上之相 移层。7.如申请专利范围第4项所述之制作相移光 罩的方法,其 中该相移层是由钼矽氧化氮(MoSiON)所形成。图式 简单说 明:第一图是习知相移光罩之剖示图;第二图至第 四图是 制作习知相移光罩步骤之剖示图;第五图是表示习 知相移 光罩之临界尺寸变化的图表;第六图是本发明相移 光罩之 剖示图;第七图至第十一图是制作本发明相移光罩 步骤之 剖示图;第十二图是表示本发明相移光罩之临界尺 寸变化 的图表。 |
