| 主权项 |
1.一种浅沟边缘圆角化之方法,包括:一为在矽基底上依序形成第一氧化层、第一氮化矽层、第二氧化层及第二氮化矽层之步骤;一蚀刻第二氮化矽层、第二氧化层以及第一氮化矽层,形成开口之步骤;一对第一氧化层蚀刻形成相应开口之步骤;一为在对应于开口下方之矽基底外露部位成长一氧化层之步骤;一氮化矽沈积/回蚀刻以形成附着于开口壁面之侧壁层,而侧壁层底面为压掣于该矽基底上表面氧化层两端部位之步骤;一对矽基底开口部位之氧化层热成长而转变为厚氧化层之步骤;一去除该厚氧化层,而使矽基底近表面处为形成具圆弧角之浅沟的步骤;一对浅沟进行非等向性蚀刻,以形成通达到预定深度之垂直凹孔的步骤;一热氧化、布植及/或热扩散,以还原缺陷及消除蚀刻期间之损坏与强化壁面绝缘度之步骤;及一沈积氧化层以填满浅沟凹孔及外表面之步骤;及一实施化学机械研磨及去除氮化矽之步骤,以使外表面呈平坦之步骤;据以构成一种得透过厚氧化层之厚度控制浅沟圆弧角度大小之浅沟形成方法者。2.如申请专利范围第1项所述之浅沟边缘圆角化之方法,其中该第一氧化层为薄厚度者。3.如申请专利范围第1项所述之浅沟边缘圆角化之方法,其中该第一氮化矽层为较厚型式者。4.如申请专利范围第1项所述之浅沟边缘圆角化之方法,其中该第二氧化层之厚度为高于第一氧化层者。5.如申请专利范围第1项所述之浅沟边缘圆角化之方法,其中该第二氮化矽层之厚度为低于第一氮化矽者。6.如申请专利范围第1项所述之浅沟边缘圆角化之方法,其中该矽基底处成长之氧化层为一薄厚度者。7.如申请专利范围第1项所述之浅沟边缘圆角化之方法,其中该蚀刻去除厚氧化层之后,更可重覆进行热成长氧化层及去除氧化层之步骤,以使矽基底近表面之浅沟的圆弧角度到达预定圆弧角度大小者。8.一种浅沟边缘圆角化之方法,包括:一为在矽基底上依序形成第一氧化层、第一氮化矽层、第二氧化层及第二氮化矽层之步骤;一覆光阻及实施浅沟光罩相关作业,以蚀刻第二氮化矽层、第二氧化层以及第一氮化矽层,形成开口之步骤;一对第一氧化层进行等向性蚀刻形成相应开口以及形成侧凹孔之步骤;一去除光阻之步骤;一为在对应于开口下方之矽基底外露部位成长一氧化层,且此氧化层的端部为延伸进入至第一氧化层侧凹孔内之步骤;一氮化矽沈积/回蚀刻以形成附着于开口壁面之侧壁层,而侧壁层底面为压掣于该矽基底上表面氧化层两端部位之步骤;一对矽基底开口部位之氧化层热成长而转变为厚氧化层之步骤;一去除该厚氧化层,而使矽基底近表面处为形成具圆弧角之浅沟的步骤;一对浅沟进行非等向性蚀刻,以形成通达到预定深度之垂直凹孔的步骤;一热氧化、布植及/或热扩散,以还原缺陷及消除蚀刻期间之损坏与强化壁面绝缘度之步骤;及一沈积氧化层以填满浅沟凹孔及外表面之步骤;及一实施化学机械研磨及去除氮化矽之步骤,以使外表面呈平坦之步骤;据以构成一种得透过厚氧化层之厚度控制浅沟圆弧角度大小之浅沟形成方法者。9.如申请专利范围第8项所述之浅沟边缘圆角化之方法,其中该第一氧化层为薄厚度者。10.如申请专利范围第8项所述之浅沟边缘圆角化之方法,其中该第一氮化矽层为较厚型式者。11.如申请专利范围第8项所述之浅沟边缘圆角化之方法,其中该第二氧化层之厚度为高于第一氧化层者。12.如申请专利范围第8项所述之浅沟边缘圆角化之方法,其中该第二氮化矽层之厚度为低于第一氮化矽者。13.如申请专利范围第8项所述之浅沟边缘圆角化之方法,其中该矽基底处成长之氧化层为一薄厚度者。14.如申请事利范围第8项所述之浅沟边缘圆角化之方法,其中该蚀刻去除厚氧化层之后,更可重覆进行热成长氧化层及去除氧化层之步骤,以使矽基底近表面之浅沟的圆弧角度到达预定圆弧角度大小者。15.一种边缘为圆弧角之浅沟结构,包括:一为在矽基底的近表面处为经与氧化层热反应转变为厚氧化层以及去除厚氧化层而形成边缘为圆弧度之浅沟;一连接于该边缘为圆弧角之浅沟正下方,为经非等向性蚀刻形成之垂直凹孔;以及为在浅沟及垂直凹孔中填满有氧化矽;构成一种得透过氧化层热反应厚度控制圆弧角度大小之浅沟结构者。16.如申请专利范围第15项所述之边缘为圆弧角之浅沟结构,其中该浅沟及垂直凹孔内壁面为具有一可提升绝缘性之热氧化层者。图式简单说明:第一图A-第一图I:系本发明之制法剖面示意图。第二图A、第二图B:系习知倾斜型浅沟之剖面示意图。第三图:系传统矽层本地氧化(LOCOS)之剖面图。 |
