| 主权项 |
1.一种积体电路元件(20),包含:一基板(22)和一金属接线层(26),该积体电路元件之特征为:一层序(24)以插在该基板和该金属接线层之间的材料组成,该层序至少包含由一层超晶格材料所制造之一缓冲层,该层序基本上没有额外的接线层。2.如申请专利范围第1项之元件,其中该层超晶格材料包含钽酸锶铋。3.如申请专利范围第2项之元件,其中该基板包含一邻近该层序之最上矽基层(34)。4.如申请专利范围第1项之元件,其中该接线层包含一黏着金属(36)。5.如申请专利范围第4项之元件,其中该金属接线层包含一贵金属(38)。6.如申请专利范围第1项之元件,在该接线层之上包含一铁电层(28)。7.如申请专利范围第6项之元件,其中该铁电层包含一层超晶格材料。8.一种积体电路元件(20)之制造方法,该方法包含提供(P40)一最上表面(34)为非金属之基板(22)的步骤;该方法之特征为:在该基板上沈积(P44,P46)一层超晶格材料先质(36);及在该层超晶材料上沈积(P50)一电极(38)。9.如申请专利范围第8项之方法,其中该沈积步骤包含在该基板上涂敷(P44)一液体先质以形成一薄先质膜之步骤,该液体先质包含许多有效数量之金属用以在该先质作热处理时产生该层超晶格材料,以及烤乾(P46)该薄先质膜以产生一层超晶格材料(36)。10.如申请专利范围第8项之方法,另外之特征为在沈积该电极之步骤后,将该积体电路元件在至少450℃之温度下回火(P52)。11.如申请专利范围第10项之方法,其中该温度至少约为600℃。12.如申请专利范围第9项之方法,其中该烤乾步骤包含在温度到达约450℃时,乾烤该先质一充分之时间周期,以从该膜实质除去所有的挥发性有机成分。13.如申请专利范围第8项之方法,另外之特征为在该电极上建构(P54)第二层超晶格材料(28)之步骤。图式简单说明:第一图为包含一由插在下电极和在其下之基板间的层超晶格材料所形成之缓冲层的薄膜铁电电容器元件;第二图为使用在制造第一图电容器之流程图;第三图为使用在制造可能用在第二图制程之液体先质溶液的流程图;第四图为在最上表面上具有大量的小丘陵结构之不完美下电极结构,及第五图为从以不同条件处理之电容器比较所获得的平均极化値之条状图。 |
