| 主权项 |
1.一种在积体半导体电路中之电容器,其特征为:-具有第一电极(7),其基本上由非贵重金属之导电性材料所构成,-具有第二电极(10),-具有电容器介电质(9),介电质(9)将第一(7)和第二电极(10)互相绝缘且由高之介电质或铁电质所构成,-具有位障层以降低氧气之扩散,位障层配置于第一电极(7)上且覆盖介于第一电极(7)和电容器介电质(9)之间的整个界面。2.如申请专利范围第1项之电容器,其中位障层(8)是一种电性绝缘层。3.如申请专利范围第1或第2项之电容器,其中位障层(8)是由氮化矽或氧化矽所构成。4.如申请专利范围第1项之电容器,其中第一电极(7)基本上由多晶矽,可导电之氮化物,钨或矽化物所构成。5.如申请专利范围第1或第2项之电容器,其中第一电极(7)基本上由矽化钛所构成且位障层(8)基本上由氧化钛所构成。图式简单说明:第一图显示具有本发明之电容器的积体半导体电路之记忆体单元以作为实施例。 |
