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发明名称
Single-electron memory component
摘要
A memory device in which each cell includes two portions of isolated-granular material: one portion forms the channel of a single-electron transistor, and the other provides a hysteretic I-V relationship in the gate circuit of the transistor.
申请公布号
AU7012298(A)
申请公布日期
1998.12.11
申请号
AU19980070122
申请日期
1998.04.22
申请人
CHRISTOPH WASSHUBER
发明人
CHRISTOPH WASSHUBER
分类号
H01L29/788
主分类号
H01L29/788
代理机构
代理人
主权项
地址
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