| 摘要 |
<p>Optoelektronisches Halbleiterbauelement, bei dem über einem Halbleitersubstrat (12) eine aktive Zone (1) angeordnet ist, die zwischen mindestens einer ersten Resonatorspiegelschicht (2) und mindestens einer zweiten Resonatorspiegelschicht (3) angeordnet ist. Die erste (2) und die zweite Spiegelschicht (3) weisen Halbleitermaterial eines ersten Leitungstyps auf und zwischen der aktiven Zone (1) und einer der beiden Spiegelschichten (2, 3) ist mindestens eine erste hochdotierte Übergangsschicht (11) des ersten Leitungstyps und mindestens eine zweite hochdotierte Übergangsschicht (10) eines zweiten Leitungstyps angeordnet, derart, daß die zweite hochdotierte entartete Übergangsschicht (10) zwischen der aktiven Zone (1) und der ersten hochdotierten entarteten Übergangsschicht (11) liegt.</p> |
