具有邻近驱动晶体管源极小区域的静态随机存取存储器

摘要

在一个包括两个交叉耦合驱动MOS晶体管和两个连接到所述驱动MOS晶体管的转移MOS晶体管的静态随机存储器单元中,一组驱动MOS晶体管和转移MOS晶体管的栅极形成在一个半导体基片上以及一组晶体管的源极/漏极杂质扩散区域(8)形成在该半导体基片内。一组与半导体基片相同导电型的小区域(5)形成在该半导体基片内,每个小区域邻近驱动晶体管之一的源极和栅极下面。该小区域的杂质浓度比半导体基片的杂质浓度高。

主权项

1.一个包括两个交叉耦合驱动MOS晶体管(Qd1，Qd2)和两个连接到所述驱动MOS晶体管的转移MOS晶体管(Qt1，Qt2)的静态随机存取存储器单元，其特征在于它包括：一个第一导电型的半导体基片(1)；一组所述驱动MOS晶体管和转移MOS晶体管的栅极(3a，3b)，形成上述半导体基片；一组相对于所述第一导电型的第二导电型的第一杂质扩散区(8)，形成在所述基片内，每个所述第一杂质扩散区形成所述驱动MOS晶体管和转移MOS晶体管的源极和漏极之一；一组形成在所述半导体基片内的所述第一导电型的小区域(5)，所述每个小区域邻近于驱动MOS晶体管的源极及在说的驱动晶体管之一的栅极之下；一个所述小区域的杂质浓度大于所述半导体基片的杂质浓度。