用于半导体存储器件的数据读出电路

摘要

本发明涉及一种高速锁定读出放大器的半导体存储器件的数据出电路,包括用于接收来自存储单元阵列的输出数据的锁定读出放大器和电流镜像型读出放大器,用于将来自信号延迟单元的输出信号和来自电流镜像型读出放大器的输出信号相比较的比较单元,用于接收来自比较单元的同信号并输出一个脉冲信号的脉冲发生器,以及控制器和组合单元。

主权项

1.一种用于具有存取单元阵列的半导体存储器件的数据读出电路，包括：锁定读出放大器装置，用于接收来自存储单元阵列的数据信号DATA和DATAB，并锁定地输出与此有关的输出数据信号SO；电流镜像型读出放大器装置，用于接收来自存储单元阵列的数据信号DATA和DATB，并输出与此相关的输出数据信号SOM；信号延迟装置，用于延迟来自锁定出放大器的输出数据信号SO以输出延迟信号DEO；比较装置，用于将来自信号延迟装置的延迟信号DEO和电流镜像型读出放大器装置的输出数据信号SOM相比较，并输出根据这种比较而得到的比较信号COM；脉冲发生装置，用于接收来自比较装置的比较信号COM，并输出相关的脉冲信号DLD；控制装置，用于接收地址转移检测信号并输出与之响应的用于控制电流镜像型读出放大器装置的读出放大器控制信号；以及组合装置，用于接收来自脉冲发生装置的脉冲信号DLD和来自控制装置的读出放大器控制信号，并输出与之响应的用于控制读出锁定放大器装置的锁定读出放大器控制信号。