| 发明名称 | 净化处理半导体制造中冲洗水的方法 | ||
| 摘要 | 用大网络磺化乙烯基芳族聚合物的热解化物吸附的方法,除去半导体制造工艺冲洗水中存在的亲水有机杂质和过氧化氢,热解化物的碳含量至少为85%(重量),碳/氢原子比为1.5∶1至20∶1。尽管热解化物有疏水的表面,但它对这些杂质有较高的吸附性,因此比需用的活性炭有明显更高的脱除率。 | ||
| 申请公布号 | CN1200712A | 申请公布日期 | 1998.12.02 |
| 申请号 | CN96197852.X | 申请日期 | 1996.12.17 |
| 申请人 | 克赖斯特股份有限公司 | 发明人 | P·莱恩;T·克雷尔;D·格斯比特 |
| 分类号 | C02F1/28 | 主分类号 | C02F1/28 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 黄泽雄 |
| 主权项 | 1.用吸附法从半导体制造工艺冲洗水中除去在15℃下与水互溶数量至少为10％(重量)的亲水有机杂质和/或过氧化氢的方法，其特征在于，使冲洗水通过其碳含量至少为85％(重量)和碳/氢原子比为1.5∶1至20∶1的、由大网络磺化乙烯基芳族聚合物制得的热解化物的床层。 | ||
| 地址 | 瑞士爱斯奇 | ||