| 发明名称 | 半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 提供一种制造半导体器件的制造方法,所说器件包括层间绝缘膜,层间绝缘膜是形成在半导体衬底上的氧化膜或由BPSG构成的膜。其中,用腐蚀气体选择腐蚀形成在层间绝缘膜上的铝布线层。然后,将通过选择腐蚀所暴露的层间绝缘膜的表面进行表面改造。此后用CVD方法或其它方法形成氟化非晶碳层。根据改造表面的一个方法,在选择腐蚀铝布线层以后,将腐蚀气体改为含CF<SUB>4</SUB>的气体,以在层间绝缘膜的表面进行等离子体处理。根据改造表面的另一个方法,在形成氟化非晶碳之前,在层间绝缘膜的表面进行硅离子注入。由于这种改造,可以保持氟化非晶碳与层间绝缘膜之间的粘附性。 | ||
| 申请公布号 | CN1200564A | 申请公布日期 | 1998.12.02 |
| 申请号 | CN98108918.6 | 申请日期 | 1998.05.22 |
| 申请人 | 日本电气株式会社 | 发明人 | 小田典明 |
| 分类号 | H01L21/768;H01L21/302;H01L21/306;H01L21/31 | 主分类号 | H01L21/768 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 邹光新;王岳 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件的制造方法，包括以下步骤：选择腐蚀铝布线；改造置于铝布线下面的氧化膜的表面；形成有机层间膜。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||